简介： 应温志渝教授、徐溢教授、刘海涛副教授的邀请，电子科技大学徐开凯副教授等人陪同南非大学Lukas W. Snyman教授于2015年12月23日访问重庆大学微系统中心。下午3：00在微系统中心318会议室， Snyman教授作题为“Engineering of carrier energy and carrier momentum in order to generate 100 nW per micron square and 10 GHz Silicon LEDs”的学术报告，微系统中心的老师和学生听取了此次报告。

2015年12月23日，南非大学Lukas W. Snyman教授访问重庆大学微系统中心。下午3：00在微系统中心318会议室，Snyman教授作题为“Engineering of carrier energy and carrier momentum in order to generate 100nW per micron square and 10 GHz Silicon LEDs”的学术报告，参观了微系统中心,与中心师生开展了相关学术领域的深入探讨和交流。

Lukas W. Snyman教授在Port Elizabeth大学获得B.Sc., B.Sc Hons., M.Sc.和PhD学位。从2014年起，Snyman教授开始担任南非大学电气工程系主任。他的研究兴趣主要集中在光电子器件、CMOS集成电路设计，硅光子学，Si基雪崩LED，尤其关注以上研究方向在应用领域中创新突破，期待将研究成果市场化，做成极具实用价值的光电集成芯片。 此外，他还尤为关注嵌入式控制系统，微波-高频电子电路，并为非洲市场做出许多新颖实用性的产品。

Snyman教授至今在期刊和国际学术会议出版了80多篇高质量学术论文。在2013年和2014年分别发表的论文——“硅雪崩硅基发光二极管及其潜在的集成CMOS射频双极技术”的合著者。他在这方面的研究一直在不断进行深入，并在国际各大学和机构进行了多次演讲。他是多个美国专利的主要发明者。2002年，在南非TUT大学，他获得“年度研究员学术卓越奖。2010年，在南非TUT大学，他获得“年度创新人物”的学术卓越奖。

本次学术报告Snyman教授就介绍了利用载流子能量和动量研究，设计和实现硅基发光有关器件，并且对相关设计的性能进行评估。最终，介绍了p+nn+ 结构在0.35umRF双极工艺工艺下发射强度达到200nW/um2，其波谱范围在600～850nm，实现了发射光强比同类器件高100倍，最后介绍该研究相关潜在的应用。